CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器的比較

①成像過程

CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。

②集成度

采用特殊技術(shù)的CCD讀出電路比較復雜，很難將A/D轉(zhuǎn)換、信號處理、自動增益控制、精密放大和存儲功能集成到一塊芯片上，一般需要 3～8 個芯片組合實現(xiàn)，同時還需要一個多通道非標準供電電壓。

借助于大規(guī)模集成制造工藝，CMOS圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上，多數(shù)CMOS圖像傳感器同時具有模擬和數(shù)字輸出信號。

③電源、功耗和體積

CCD 需多種電源供電，功耗較大，體積也比較大。CMOS 只需一個單電源（3V~5 V）供電，其功耗相當于 CCD 的1/10，高度集成CMOS 芯片可以做的相當小。

④性能指標

韓國NIP千兆以太網(wǎng)相機

產(chǎn)品應用

①機器視覺；

②科學研究；

③半導體；

④產(chǎn)線制造流程的分類、檢測；

韓國NIP千兆以太網(wǎng)相機

參數(shù)表